সিলিকন ডায়োডের ক্ষেত্রে নী ভোল্টেজের মান -

সিলিকন ডায়োডের ক্ষেত্রে নী ভোল্টেজের মান 0.7 V.

- জার্মেনিয়াম ডায়োডের ক্ষেত্রে নী ভোল্টেজের মান 0.3 V.
- একটি p-n জাংশনে বাহ্যিক ভোল্টেজ বা বিভব পার্থক্য প্রয়োগ করা হলে তড়িৎ প্রবাহের সৃষ্টি হয়।
- এটি নির্ভর করে p-n জাংশনে বিভব পার্থক্য কীভাবে প্রয়োগ করা হয়, তার ওপর।
- একটি p-n জাংশনকে দুই ভাবে বায়াসিং বা ঝোঁক প্রদান করা যায়। এগুলো হলো
১। সম্মুখী ঝোঁক (Forward Bias)
২। বিমুখী ঝোঁক (Reverse Bias)
১। সম্মুখী ঝোঁক- যখন p-n জাংশনে বহিঃস্থ ভোল্টেজ এমনভাবে প্রয়োগ করা হয় যার ফলে এটি বিভব প্রাচীরকে হ্রাস করে বা নিষ্ক্রিয় করে তড়িৎপ্রবাহ চালু করে তখন একে সম্মুখী ঝোঁক বলা হয়। বহিঃস্থ ভোল্টেজ যদি p-n জাংশনে এমনভাবে প্রয়োগ করা হয় যে, কোষের ধনাত্মক প্রাক্ড p-টাইপ অর্ধপরিবাহীর সাথে এবং ঋণাত্মক প্রার্ল্ড n-টাইপ অর্ধপরিবাহী সাথে সংযুক্ত করা হয় তাহলে তাকে সম্মুখী ঝোঁক বলে।
২। বিমুখী ঝোঁক- যখন p-n জাংশনে বহিঃস্থ ভোল্টেজ এমনভাবে প্রয়োগ করা হয়, যার ফলে বিভব প্রাচীর-এর উচ্চতা বৃদ্ধি পায়, তখন একে বিমুখী ঝোঁক বলা হয়।

সূত্র: পদার্থবিজ্ঞান ২য় পত্র, এইচএসসি প্রোগ্রাম, বাংলাদেশ উন্মুক্ত বিশ্ববিদ্যালয়।